내년 1분기 30나노급 2기가비트 DDR3 D램 양산

[디비나와=김정현 기자] 하이닉스반도체(대표 권오철, www.hynix.co.kr)는 30나노급 기술을 적용, 고용량의 4기가비트 DDR3 D램을 개발했으며 내년 1분기 30나노급 2기가비트 DDR3 D램 양산에 들어간다고 29일 밝혔다.

30나노급 D램은 기존 40나노급 D램에 비해 생산성이 70%가량 향상돼 원가경쟁력을 강화할 수 있다.

최대 2133Mbps의 데이터 처리속도를 구현해 기존 1333Mbps 제품대비 처리속도가 60% 가량 빨라졌다.

2133Mbps의 데이터 전송속도는 16개의 정보 입출구(I/O)를 통해 영화 3~4편에 해당되는 4.2기가바이트의 데이터를 1초내에 처리할 수 있는 속도이다.

또한 30나노급 2기가비트 서버용 제품은 1.25V의 초저전압과 친환경 기술을 적용한 제품으로 기존 40나노급 2기가비트 제품보다 60% 이상 전력소모를 줄일 수 있다.

하이닉스 연구개발제조총괄본부장(CTO) 박성욱 부사장은 “하이닉스는 현재 전체 D램 생산량의 50% 가량을 2기가비트 제품으로 생산하고 있으며, 향후 고용량·고성능·저전력 제품 비중을 지속적으로 확대해 4기가비트 제품 등 프리미엄 시장을 주도적으로 이끌어 나갈 것”이라고 말했다.

한편 시장조사기관 아이서플라이(iSuppli)는 2기가비트 D램 비중이 2010년 4분기 현재 30% 수준에서 2011년 3분기에 50%를 넘어설 것으로 전망하고 있다. 또한, 4기가비트 D램은 2011년 말부터 시장이 형성돼 2014년 약 43%까지 비중이 확대될 것으로 전망하고 있다.

jhkim@dbnawa.co.kr

<저작권자ⓒ : IT 유통 전문 뉴스 채널 디비나와. 무단전재-재배포 금지>