[디비나와=김정현 기자] 삼성전자는 4일 차세대 고성능 DDR4(Double Data Rate 4) D램을 지난달 개발 완료했다고 4일 밝혔다.

DDR4 D램은 DDR3 D램 보다 속도가 2배 가량 빠르면서도 동작전압이 낮아 소비전력을 줄일 수 있다.

이번에 개발한 DDR4는 30나노급 D램으로 데스크톱용 2GB UDIMM(Unbuffered Dual In-line Memory Module) 제품을 개발했다.

삼성전자는 컨트롤러 업체들을 비롯한 서버업체들과 협력해 올해 하반기까지 DDR4 D램 관련 기술의 JEDEC(Joint Electron Device Engineering Council) 표준화를 완료할 예정이다.

삼성전자가 이번에 개발한 DDR4 D램은 1.2V(볼트)에서 동작하며 데이터 전송속도는 2.1Gbps(Giga-bit per Second)로 구현됐다.

특히 DDR4 D램은 1.35V 또는 1.5V로 동작하는 DDR3 D램보다 낮은 1.2V로 동작하고, 초고속 그래픽 D램에 적용된 저전력 기술을 적용하여 데이터를 읽고 쓰는데 소비되는 전력량을 절반으로 줄였다.

DDR4 D램을 PC에 탑재하면 같은 30나노급 1.5V, DDR3 D램에 비해 성능은 두배로 높이면서도 소비전력은 약 40% 낮출 수 있다.

삼성전자 반도체사업부 메모리담당 전동수 사장은 “삼성전자는 해마다 업그레이드된 ‘그린메모리’ 전략으로 IT 업계에서 친환경 제품을 출시하는데 적극적으로 협력해 왔다”면서, “이번에 삼성전자가 개발한 DDR4 D램 기술로 서버 업체를 비롯한 고객들에게 ‘그린메모리’ 제품에 대한 신뢰를 더욱 높일 수 있게 됐다”고 말했다.

한편 삼성전자는 DDR4 D램을 2012년 이후 최첨단 차세대 공정으로 양산할 예정이다.

jhkim@dbnawa.co.kr

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