Samsung 1GB DDR SDRAM PC3200 제품은 184핀 unbuffered DIMM 소켓 규격의 양면 메모리입니다. 1GB의 용량을 가지고 있으며 PC3200 SDRAM module 제품으로 400Mhz의 클럭 스피드로 동작됩니다.
 

부착된 스티커를 제거시 A/S에 불이익이 발생하므로 유의 하시기 바랍니다.
 

DDR400 으로 동작하고 CL 3의 레이턴시를 가진 제품입니다.

* 메모리의 스펙은 해당 모듈넘버의 변경에 의해 변경될 수 있습니다.
 

• VDD : 2.5V ± 0.2V, VDDQ : 2.5V ± 0.2V for DDR 266, 333
• VDD : 2.6V ± 0.1V, VDDQ : 2.6V ± 0.1V for DDR 400
• Double-data-rate architecture; two data transfers per clock cycle
• Bidirectional data strobe [DQS] (x4,x8) & [L(U)DQS] (x16)
• Four banks operation
• Differential clock inputs(CK and /CK)
• DLL aligns DQ and DQS transition with CK transition
• MRS cycle with address key programs
• - Read latency : DDR 266(2, 2.5 Clock), DDR 333(2.5 Clock), DDR 400(3 Clock)
  - Burst length (2, 4, 8)
  - Burst type (sequential & interleave)
• All inputs except data & DM are sampled at the positive going edge of the system clock(CK)
• Data I/O transactions on both edges of data strobe
• Edge aligned data output, center aligned data input
• LDM, UDM for write masking only (x16)
• DM for write masking only (x4, x8)
• Auto & Self refresh
• 7.8μs refresh interval(8K/64ms refresh)
• Maximum burst refresh cycle : 8
• 66pin TSOP II & 60Ball FBGA Pb-Free package(RoHS compliant)